外资投行高盛最新发布的研究报告指出，尽管中国近年来在半导体领域发展迅猛，但在光刻机研发这一半导体制造的关键环节仍存瓶颈。中国国产光刻机目前停留在65纳米，至少落后国际大厂20年，7nm芯片制造依赖ASML旧设备，短期内赶上西方先进技术可能性较小，给中国高端芯片自给自足带来巨大阻碍。
中国光刻机技术现状与国际差距
高盛报告显示，中国半导体制造的核心瓶颈在于光刻机技术，目前中国本土企业研发的光刻机最高技术水平为65纳米，仅能满足中低端芯片制造需求，与国际顶尖水平差距显著。当前全球芯片制造已进入“纳米竞赛”新阶段，台积电、三星等头部企业利用荷兰ASML的极紫外光（EUV）光刻机，已大规模量产5nm芯片，且即将实现2nm芯片的商业化生产，同时，面向更尖端的埃米级制程，ASML的高数值孔径（High NA）EUV光刻机已进入测试阶段。而全球范围内，能制造EUV及更先进光刻机的企业，仅有ASML一家。
7nm芯片制造的依赖与隐忧
报告指出，即便中芯国际能生产出7nm制程的芯片，极有可能还是通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机，采用“多重曝光”技术实现的“过渡方案”。这种方式不仅成本更高、良率更低，且核心设备仍受海外供应链制约。因为无论是EUV还是DUV光刻机，其核心零部件如激光光源、精密光学镜头、运动控制系统等，均高度依赖美国、德国等国家的供应商，中国尚未形成完整的自主供应链体系。
追赶差距面临的困难
高盛在报告中强调了“技术跃迁的成本门槛”。ASML从65nm技术升级到3nm以下光刻能力，耗时20年，累计投入研发与资本支出超400亿美元，且全程依赖全球超过5000家供应商的技术协同。这意味着中国若要追赶这一差距，不仅需要巨额资金投入，保守估计需千亿级研发资金，还需突破“光学、机械、材料”等多学科的底层技术壁垒，同时构建自主可控的全球供应链，而这些条件在短期内难以完全满足。
禁令影响与行业思考
美国与荷兰政府针对光刻机的出口禁令，已对中国科技产业产生深远影响，国内晶圆制造商无法获得ASML的EUV光刻机，导致7nm以上先进制程芯片的规模化生产“卡壳”，依赖高端芯片的行业，如智能手机、人工智能、自动驾驶等，仍需大量进口海外芯片，供应链安全存在潜在风险。不过，业内人士指出，中国在中低端光刻机领域的突破已初见成效，65nm设备的国产化率正在提升，部分企业已开始研发28nm DUV光刻机。若能以“中低端替代”积累技术经验，同时加大基础研究投入，如激光技术、精密制造等，或可逐步缩小与国际顶尖水平的差距，但这一过程注定需要长期的耐心与持续的投入。
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