半导体材料行业发展现状与趋势深度剖析
半导体材料作为半导体产业的基石，其发展态势对整个行业的走向起着决定性作用。在当前全球科技快速发展的大背景下，半导体材料企业面临着前所未有的机遇与挑战。
市场规模稳步扩张，增长势头强劲
随着AI算力、智能驾驶等终端需求的持续提升，全球半导体行业市场规模呈现出显著的增长态势。2025年上半年，在AI算力、数据中心、智能驾驶等终端需求的共同拉动下，全球半导体行业在2024年复苏的基础上进一步增长，产业链景气度持续提升。根据美国半导体协会（SIA）统计，2025年1 - 7月全球半导体销售额约为4050亿美元，同比增长20.4%；其中中国大陆半导体销售额约为1135亿美元，同比增长11.1%。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计，2025年全球半导体市场规模将达到7009亿美元，同比增长11.2%，亚太地区市场规模约为3706亿美元，同比增长9.8% 。
晶圆产能的持续扩张也为半导体材料需求的增加提供了有力支撑。在AI高性能计算需求不断提升的背景下，晶圆产能建设进入加速阶段，尤其是先进制程扩张趋势明显。SEMI预测，2028年全球12英寸晶圆月产能将达到1110万片，对应2024 - 2028年期间CAGR约7%，其中7nm及以下先进制程月产能将由2024年的85万片扩张至2028年的140万片，CAGR约14%。晶圆产能的扩张直接带动半导体材料需求提升。根据TECHCET预测，2025年全球半导体材料市场规模将达约700亿美元，同比增长6%，并在2029年突破870亿美元。中国大陆市场方面，中商产业研究院测算，2020 - 2024年期间市场规模由755.8亿元增长至1437.8亿元，CAGR约17.4%，预计2025年将进一步增长至1740.8亿元，同比增长21.1%。
细分领域多点开花，增长各具特色
光刻胶市场
CEMIA预测，2025年中国大陆集成电路、新型显示、PCB用光刻胶市场规模将分别达到68.02亿元、67.13亿元、43.84亿元，同比分别增长4.49%、3.09%、17.25%。光刻胶作为半导体制造过程中的关键材料，其技术含量高，研发难度大。目前，国家集成电路产业投资基金三期明确已将光刻胶列为重点投资领域，计划投入超500亿元支持关键材料研发及产业化。同时，国内晶圆厂如中芯国际、长江存储等也优先验证国产光刻胶，缩短认证周期至2年以内，加速国产替代进程。
湿电子化学品市场
2025年中国大陆总需求量预计达468.5万吨，同比增长3.9%，其中集成电路、显示面板领域需求分别增长23.1%、10.1%，市场规模分别达到86.0亿元和80.1亿元。国内企业在半导体领域的高端湿电子化学品，如电子级磷酸、硫酸、氢氟酸等已实现技术突破，未来有望在高端市场占据更大份额，呈现“高端突破、中端替代、低端主导”的格局。
电子特气市场
智研咨询预计2025年全球市场规模将达64亿美元，同比增长6.7%；中国大陆市场规模将达279亿元，同比增长6.3%。电子特气在半导体制造过程中用于蚀刻、掺杂、气相沉积等工艺，是不可或缺的关键材料。尽管目前全球市场被几家国际巨头垄断，但国内企业正在加大研发投入，积极突破技术瓶颈，部分产品已实现国产化替代。
企业扩产成风，产能释放可期
当前，本土半导体厂商竞争力快速提升，在前沿技术突破与全球市场份额抢占上持续追赶，正逐步打破原有全球产业格局。行业趋势下，相关领域市场机会窗口已逐步打开，扩产起量成为半导体材料公司的发展重点之一。
神工股份董事长潘连胜表示，公司未来将以稳妥扩产为核心策略，持续提升硅零部件的产能规模，这将为大直径硅材料业务的增长提供明确且可持续的动能。天承科技为匹配下游客户的产能扩充和日益增长的订单量，计划将金山工厂产能从年产3万吨功能性湿电子化学品提升至4万吨；珠海年产3万吨工厂建设将于近日开工，以辐射华南区域的众多PCB下游工厂；泰国全资子公司年产3万吨工厂将于2026年建成，并具备对东南亚地区的供应能力。龙图光罩珠海工厂的新产品预计于下半年逐步开始放量，公司的季度营收预计会出现明显的同比增长 。
技术创新是核心驱动力
半导体材料行业的发展离不开持续的技术创新。从材料本身来看，从传统的硅基材料向碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料发展，性能得到了数十倍的提升。例如，碳化硅（SiC）在新能源汽车主驱逆变器中的应用需求持续攀升，特斯拉、比亚迪等车企已将SiC功率器件作为提升续航和充电效率的核心技术。预计到2025年，全球碳化硅材料市场规模将突破60亿美元，其中车用占比超30%。
在集成电路的发展过程中，沿着More Moore和More - than - Moore两条主要技术路线前行，对硅片衬底的要求存在显著差异。在摩尔定律方向上，随着28纳米及以下先进制程的发展，外延片成为半导体硅片材料的重要发展方向。同时，先进制程对硅片的表面微缺陷、平坦度和洁净度提出了更高标准，这就需要在长晶技术和加工技术上不断突破。在超越摩尔定律方向上，核心需求是实现更大功率和更小功耗，这对硅片提出了新的挑战。为解决低电阻与高耐压的矛盾，功率器件多采用重砷衬底与外延相结合的方案，因此硅片电阻率的降低成为关键。
国产替代进程加速，但挑战犹存
受下游新增产能及国产化政策推动，半导体国产化材料迎来重要发展机遇。从顶层设计到资金落地，政策工具箱的全面开闸为产业发展注入强心剂。国家设立国家集成电路产业投资基金三期，基金规模超3000亿元，各地也设立半导体基金扶持产业发展。此外，国家还从税务层面通过所得税减免政策、研发费用加计扣除降低企业成本。国内12英寸晶圆厂的密集建设进一步为半导体材料产业升级按下“加速键”，大量产线投产将为国产半导体材料发展带来重要机会 。
然而，国产半导体材料企业在发展过程中仍面临诸多挑战。在技术层面，部分“卡脖子”的细分品类研发难度高、市场规模小，并不具备经济性，但又必须下定决心投入资源打通这些环节。例如，光刻胶对精度、纯度要求近乎苛刻，国内企业在材料配方、制备工艺上与国际巨头差距明显，研发周期长且投入巨大。在市场层面，半导体硅片产业还是由日韩、德国等五大厂商占据全球85%以上的市场份额，尤其在12英寸硅片方面占据绝对市场地位以及先发优势，国内企业在技术积累、价格成本、客户资源等方面均处于落后追赶态势，并且还要被动接受国外巨头制定的行业标准，这也增加了追赶的难度 。
半导体材料企业在当前市场环境下机遇与挑战并存。在市场规模持续增长、细分领域不断发展、技术创新驱动以及政策支持国产替代的大背景下，企业应抓住机遇，加大研发投入，积极扩产，提升自身竞争力，逐步实现半导体材料的国产化自主可控，在全球半导体材料市场中占据一席之地。
